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SI1032R-T1-E3

更新时间:2023-02-18 03:03:32
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SI1032R-T1-E3外观图

  • 大小：117.3KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5 Ohms;ID 140mA;SC-75A (SOT-416);PD 250mW
  • 数据列表：SI1032R,X
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：140mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.75nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-75A
  • 供应商设备封装：SC-75A
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI1032R-T1-E3TR
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